Há alguns anos se discute a substituição do silício no interior dos microchips. A IBM
deu um passo firme nesse sentido ao conseguir produzir um microchip
funcional com nanotubos de carbono, que tem desempenho cinco vezes
superior a um equivalente feito com silício. O chip desenvolvido em
laboratório tem a mesma densidade de transistores por polegada quadrada
de um processador Ivy Bridge da Intel, o que também é impressionante.
Chips de carbono já tinham sido testados anteriormente, mas o grande
problema em torno da adoção do material estava no processo de
manufatura. Não era possível, até a IBM resolver o problema, produzir um
chip com transistores de carbono através de um processo de fabricação
competitivo economicamente.
Para quem tem interesse no processo em si, de maneira simplificada, ele se resume ao seguinte: um substrato de silício recebe uma fina camada de dióxido de háfnio, e em cima dessa camada, outra, de dióxido de silício, é depositada. Com um laser específico, o silício é removido, ficando apenas o desenho padronizado dos transistores. Depois, nanotubos de carbono são posicionados ligando transistores entre si, função anteriormente do silício.
O processo é, basicamente, o mesmo que a indústria usa hoje para fabricar o processador do seu celular e do seu computador. De acordo com os cientistas, a IBM acredita que o processo estará amadurecido e refinado o suficiente no fim da década.
Técnicos da IBM conseguiram desenvolver um chip feito de carbono em laboratório (Foto: Reprodução)
O mais interessante no feito dos engenheiros da IBM está no seguinte:
pela primeira vez, foi possível produzir um chip computacional com
transistores feitos a partir de carbono, adotando o mesmo processo de
fabricação adotado na produção de chips de silício. A grande vantagem na
troca de um material pelo outro está na escala de desempenho: com
carbono, o chip da IBM se mostrou cinco vezes mais rápido que um
equivalente de silício.Para quem tem interesse no processo em si, de maneira simplificada, ele se resume ao seguinte: um substrato de silício recebe uma fina camada de dióxido de háfnio, e em cima dessa camada, outra, de dióxido de silício, é depositada. Com um laser específico, o silício é removido, ficando apenas o desenho padronizado dos transistores. Depois, nanotubos de carbono são posicionados ligando transistores entre si, função anteriormente do silício.
O processo é, basicamente, o mesmo que a indústria usa hoje para fabricar o processador do seu celular e do seu computador. De acordo com os cientistas, a IBM acredita que o processo estará amadurecido e refinado o suficiente no fim da década.
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