Protótipo da memória resistiva ReRAM, que a Elpida pretende fabricar em grande escala em 2013, usando uma tecnologia de 30 nanômetros e atingindo uma capacidade na faixa dos gigabits.[Imagem: Elpida Memory]
A empresa japonesa Elpida Memory anunciou a criação do primeiro protótipo de memória resistiva com uma velocidade que se equipara às memórias DRAM atualmente no mercado.
Aparentemente o anúncio causou um entusiasmo desmedido na imprensa, já que a empresa teve que prontamente emitir um segundo comunicado, afirmando que muitas notícias eram "especulativas, sem base factual".
O que é fato é que o desenvolvimento da Elpida é significativo, mostrando que as memórias resistivas têm potencial para concorrer com outras tecnologias emergentes de memória não-volátil, ou seja, que não perdem os dados quando a energia é desligada.
O que não é fato é que a nova memória resistiva já esteja pronta para substituir as memórias dos computadores.
Na verdade, o protótipo é rápido, mas não tem ainda a durabilidade de uma DRAM. A Elpida anunciou que está fazendo um acordo com a também japonesa Sharp para tentar tornar a nova tecnologia pronta para chegar ao mercado.
Memórias resistivas, ou RRAM
A nova memória é do tipo conhecido como RRAM - a Elpida chama seu protótipo de ReRam -, um acrônimo para memória de acesso aleatório resistiva.
As memórias resistivas, assim como as memórias ferromagnéticas e outras, mantêm os dados na falta de energia.
As memórias flash, usadas em cartões de memória e em discos rígidos de estado sólido, também fazem isto, mas não são rápidas o suficiente para serem usadas como memória principal de um computador.
A ReRAM agora anunciada foi fabricada com uma tecnologia de 50 nanômetros - ainda "grande" para os padrões atuais - com células de 64 megabits.
As memórias resistivas são fabricadas com um material que altera sua resistência à passagem da corrente elétrica em resposta a variações na sua tensão de alimentação.
Depois que a memória é desligada, essa resistência se mantém, o que significa que os dados não se perdem.
Pendrives mais duráveis
O tempo de escrita da ReRam, segundo a empresa, é de 10 nanossegundos, uma velocidade similar à das DRAM atuais.
Sua durabilidade foi calculada em 10 milhões de ciclos de escrita e leitura. Isto é cerca de 10 vezes mais do que uma memória flash suporta, mas ainda muito menos do que uma DRAM.
Ou seja, ainda que não ocupe imediatamente seu lugar nos computadores, a ReRAM tem potencial para ser usada em outras áreas, como em pendrives e discos de estado sólido de maior durabilidade.
A Elpida afirma ter como objetivo fabricar a nova memória em grande escala em 2013, usando uma tecnologia de 30 nanômetros e atingindo uma capacidade na faixa dos gigabits.
Competição acirrada
A Panasonic e a HP também já anunciaram planos para a fabricação futura de RRAMs.
Outra competidora de peso na área das "memórias promissoras" é a MRAM, uma memória não volátil magnética, ou magnetorresistiva.
A memória de mudança de fase e a racetrack também participam do páreo, seguidas ou pouco mais de longe pela mais revolucionária STT-RAM.
O desenvolvimento anunciado pela Elpida contou com a participação de cientistas do Instituto Nacional de Ciências Industriais Avançadas e da Universidade de Tóquio, ambos no Japão.
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